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Componentes de implantação de íons de tungstênio

Componentes de implantação de íons de tungstênio

Material: tungstênio, liga de tungstênio

Características

Material:

Tungstênio, Liga de Tungstênio

Pureza:

99 por cento

Forma:

Conforme desenhos

Tamanho:

Conforme desenhos

Descrição dos componentes de implantação de íons de tungstênio

O tungstênio é um metal duro com uma aparência branca brilhante e prateada. É resistente à oxidação e ao ataque de ácidos e álcalis. É um metal volumoso e tem o ponto de fusão mais alto de qualquer metal. O nome químico do tungstênio é volfrâmio, representado por W. Seu número atômico é 74 e pertence à categoria de metal de transição, período 6 da tabela periódica.

A implantação de íons é um processo importante que é amplamente utilizado na fabricação de dispositivos semicondutores, acabamento de metais e pesquisa em ciência de materiais. É um processo de baixa-temperatura através do qual os íons de um elemento são acelerados em um alvo sólido, alterando assim as propriedades físicas, químicas ou elétricas do alvo.

Implantador de íons é o equipamento chave na fabricação de circuitos integrados. Quando os feixes de íons são lançados na superfície do semi-condutor e depositados, a concentração do portador e o tipo de condução são alterados. Devido à sua excelente modificação de superfície, o implante iônico é amplamente aplicado em materiais semicondutores, metais, cerâmicas, polímeros de alto-molecular, etc.

A implantação de íons é essencial para fazer circuitos integrados massivos (CI). Os componentes da implantação de íons são frequentemente feitos de TZM, molibdênio e tungstênio, porque esses materiais podem funcionar bem em ambientes agressivos devido à sua resistência à corrosão, força e alta condutividade térmica. A parte mais importante de um sistema implantador é o caminho do feixe no qual os componentes são acoplados. Aqui, os íons são gerados, concentrados, acelerados e direcionados para o wafer.

Produtos para a Indústria de Semicondutores

Câmaras (tungstênio, molibdênio e ligas)

Filamentos (tungstênio e ligas de tungstênio)

Fendas de arco (tungstênio, molibdênio e ligas)

Suportes (tungstênio, molibdênio e ligas)

Cátodos (tungstênio, molibdênio e ligas)

Peças de reposição (tungstênio, molibdênio e ligas, cerâmica, aço)

Especificação e Composição Química

Material

Tipo

Composição Química (por peso)

Tungstênio puro

W1

>99,95 por cento mín. Mo

Liga de cobre de tungstênio

WCu

10 por cento ~ 50 por cento Cu / 50 por cento ~ 90 por cento W

Liga Pesada de Tungten

WNiFe

1,5 por cento - 10 por cento Ni, Fe, Mo

Liga Pesada de Tungten

WNiCu

5 por cento - 9,8 por cento Ni, Cu

Rênio de tungstênio

WRe

5,0 por cento Re

Moly Tungstênio

MoW50

{{0}},0 por cento W

Propriedades Químicas do Tungstênio

Dados Químicos


Número CAS

7440-33-7

Seção transversal de nêutrons térmicos

19,2 celeiros/átomo

Potencial do eletrodo

4.5 V

Raio iônico

0.620 Å

Eletro-negatividade

1.7

Borda de absorção de raios X-

0.17837 Å

Equivalente eletroquímico

3.43 g/A/h

Propriedades físicas do tungstênio

Propriedades

Métrica

Imperial

Densidade

19,3 g/cm3

0,697 lb/pol3

Ponto de fusão

3370 graus

6100 graus F

Ponto de ebulição

5900 graus

10700 graus F

Propriedades Mecânicas do Tungstênio

Propriedades

Métrica

Imperial

Resistência à tracção

980 MPa

142.000 psi

Módulos de elasticidade

400 GPa

58.000 ks

Módulo de cisalhamento

156 GPa

22600 ks

Razão de Poissons

0.28

0.28

Dureza, Brinell

294

294

Dureza, Vickers

310

310

Dureza, Knoop

318

318

Dureza, Rockwell A

66

66

Dureza, Rockwell C

31

31

Propriedades Térmicas do Tungstênio

Propriedades

Métrica

Imperial

Co{0}}eficiência de expansão térmica (@20-100 graus /68-212 graus F)

4,40 µm/m grau

2,44 µin/in grau F

Condutividade térmica

163,3 W/mK

1133 BTU pol/h.ft². grau F

Aplicações de componentes de implantação de íons de tungstênio e indústrias relacionadas

● Fabricação de semicondutores

● Acabamento de metal para têmpera de aço ferramenta e acabamento de superfície

● Mistura de feixe de íons para obter uma interface graduada e fortalecer a adesão entre materiais imiscíveis

● Pesquisa e Laboratório

● Semicondutor

● Metal


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