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Componentes de implantação de íons de tungstênio
Material: tungstênio, liga de tungstênio
Características
Material: | Tungstênio, Liga de Tungstênio |
Pureza: | 99 por cento |
Forma: | Conforme desenhos |
Tamanho: | Conforme desenhos |
Descrição dos componentes de implantação de íons de tungstênio
O tungstênio é um metal duro com uma aparência branca brilhante e prateada. É resistente à oxidação e ao ataque de ácidos e álcalis. É um metal volumoso e tem o ponto de fusão mais alto de qualquer metal. O nome químico do tungstênio é volfrâmio, representado por W. Seu número atômico é 74 e pertence à categoria de metal de transição, período 6 da tabela periódica.
A implantação de íons é um processo importante que é amplamente utilizado na fabricação de dispositivos semicondutores, acabamento de metais e pesquisa em ciência de materiais. É um processo de baixa-temperatura através do qual os íons de um elemento são acelerados em um alvo sólido, alterando assim as propriedades físicas, químicas ou elétricas do alvo.
Implantador de íons é o equipamento chave na fabricação de circuitos integrados. Quando os feixes de íons são lançados na superfície do semi-condutor e depositados, a concentração do portador e o tipo de condução são alterados. Devido à sua excelente modificação de superfície, o implante iônico é amplamente aplicado em materiais semicondutores, metais, cerâmicas, polímeros de alto-molecular, etc.
A implantação de íons é essencial para fazer circuitos integrados massivos (CI). Os componentes da implantação de íons são frequentemente feitos de TZM, molibdênio e tungstênio, porque esses materiais podem funcionar bem em ambientes agressivos devido à sua resistência à corrosão, força e alta condutividade térmica. A parte mais importante de um sistema implantador é o caminho do feixe no qual os componentes são acoplados. Aqui, os íons são gerados, concentrados, acelerados e direcionados para o wafer.
Produtos para a Indústria de Semicondutores
Câmaras (tungstênio, molibdênio e ligas)
Filamentos (tungstênio e ligas de tungstênio)
Fendas de arco (tungstênio, molibdênio e ligas)
Suportes (tungstênio, molibdênio e ligas)
Cátodos (tungstênio, molibdênio e ligas)
Peças de reposição (tungstênio, molibdênio e ligas, cerâmica, aço)
Especificação e Composição Química
Material | Tipo | Composição Química (por peso) |
Tungstênio puro | W1 | >99,95 por cento mín. Mo |
Liga de cobre de tungstênio | WCu | 10 por cento ~ 50 por cento Cu / 50 por cento ~ 90 por cento W |
Liga Pesada de Tungten | WNiFe | 1,5 por cento - 10 por cento Ni, Fe, Mo |
Liga Pesada de Tungten | WNiCu | 5 por cento - 9,8 por cento Ni, Cu |
Rênio de tungstênio | WRe | 5,0 por cento Re |
Moly Tungstênio | MoW50 | {{0}},0 por cento W |
Propriedades Químicas do Tungstênio
Dados Químicos | |
Número CAS | 7440-33-7 |
Seção transversal de nêutrons térmicos | 19,2 celeiros/átomo |
Potencial do eletrodo | 4.5 V |
Raio iônico | 0.620 Å |
Eletro-negatividade | 1.7 |
Borda de absorção de raios X- | 0.17837 Å |
Equivalente eletroquímico | 3.43 g/A/h |
Propriedades físicas do tungstênio
Propriedades | Métrica | Imperial |
Densidade | 19,3 g/cm3 | 0,697 lb/pol3 |
Ponto de fusão | 3370 graus | 6100 graus F |
Ponto de ebulição | 5900 graus | 10700 graus F |
Propriedades Mecânicas do Tungstênio
Propriedades | Métrica | Imperial |
Resistência à tracção | 980 MPa | 142.000 psi |
Módulos de elasticidade | 400 GPa | 58.000 ks |
Módulo de cisalhamento | 156 GPa | 22600 ks |
Razão de Poissons | 0.28 | 0.28 |
Dureza, Brinell | 294 | 294 |
Dureza, Vickers | 310 | 310 |
Dureza, Knoop | 318 | 318 |
Dureza, Rockwell A | 66 | 66 |
Dureza, Rockwell C | 31 | 31 |
Propriedades Térmicas do Tungstênio
Propriedades | Métrica | Imperial |
Co{0}}eficiência de expansão térmica (@20-100 graus /68-212 graus F) | 4,40 µm/m grau | 2,44 µin/in grau F |
Condutividade térmica | 163,3 W/mK | 1133 BTU pol/h.ft². grau F |
Aplicações de componentes de implantação de íons de tungstênio e indústrias relacionadas
● Fabricação de semicondutores
● Acabamento de metal para têmpera de aço ferramenta e acabamento de superfície
● Mistura de feixe de íons para obter uma interface graduada e fortalecer a adesão entre materiais imiscíveis
● Pesquisa e Laboratório
● Semicondutor
● Metal
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