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Pó de disilicídio de tungstênio

Pó de disilicídio de tungstênio

CAS No.: 12039-88-2

Características

CAS No.:

12039-88-2

Fórmula linear:

Wsi2

Aparência:

Sólido cristalino azul-cinza

Pureza:

99.5%

Descrição do pó de disilicídio de tungstênio

Tungstênio silicida (WSi2) é um composto inorgânico, um silicídio de tungstênio. É um material cerâmico eletricamente condutor.

O pó de silicídio de tungstênio está geralmente disponível imediatamente na maioria dos volumes. Podem ser consideradas formas de pureza, alta pureza, submicron e nanopowder.

O silicídeo de tungstênio é usado na microeletrônica como material de contato, com resistividade de 60 a 80 μΩ cm; forma-se a 1000°C. É frequentemente usado como um desvio sobre linhas de polissilício para aumentar sua condutividade e aumentar a velocidade do sinal. As camadas de silicídeos de tungstênio podem ser preparadas por deposição de vapor químico, por exemplo, usando monosilano ou diclorosilano com hexafluoreto de tungstênio como gases de origem. O filme depositado não é estequiométrico, e requer a conversão para uma forma estequiométrica mais condutora. Tungstênio silicide é um substituto para filmes anteriores de tungstênio. O silicídio de tungstênio também é usado como uma camada de barreira entre silício e outros metais, por exemplo, tungstênio.

O silicídio de tungstênio também é de valor para o uso em sistemas microeletromecânicos, onde é aplicado principalmente como filmes finos para fabricação de circuitos de microescala. Para tais efeitos, filmes de silicídio de tungstênio podem ser gravados em plasma usando, por exemplo, gás trifluoreto de nitrogênio.

O WSi2 tem um bom desempenho em aplicações como revestimentos resistentes à oxidação. Em particular, em semelhança com o disilicídeo de Molbdenum, MoSi2, a alta emissividade do disilicídio tungstênio torna este material atraente para resfriamento radiativo de alta temperatura, com implicações em escudos térmicos.

Aplicações em pó de disílicida de tungstênio e indústrias relacionadas

● Material de contato em microeletrônica

● Desviar sobre linhas de polissilício para aumentar sua condutividade e aumentar a velocidade do sinal

● Deposição de vapor químico

● Substituição por filmes de tungstênio anteriores

● Camada de barreira entre silício e outros metais (por exemplo, tungstênio)

● Sistemas microeletromecânicos

● Revestimentos resistentes à oxidação

● Filmes gravados com plasma

● Pesquisa & Laboratório

● Ciência material

● Deposição de filme fino

● Revestimento

Identificadores químicos

Fórmula Linear

Wsi2

Número MDL

MFCD00049704

EC No.

234-909-0

Beilstein/Reaxys No.

N/A

Pubchem CID

16212546

Nome IUPAC

bis (λ3-silanylidyne) tungstênio

SORRISOS

[Si]#[W]#[Si]

Identificador inchi

InChI=1S/2Si.W

Chave Inchi

WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N

Propriedades de disílicida de tungstênio (teórico)

Fórmula composta

Si2W

Peso molecular

240.01

Aparência

Sólido cristalino azul-cinza

Ponto de fusão

2160 °C

Ponto de ebulição

N/A

Densidade

9,3 g/cm3

Solubilidade em H2O

Insolúvel

Massa Exata

239.904786

Missa monoisotópica

239.904786


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