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Componentes de implantação de íon de liga TZM

Fórmula linear: Mo/ {{0}},5 por cento Ti/ 0,8 por cento Zr/ 0,02 por cento C

Features

Fórmula linear:	Mo / {{0}},5 por cento Ti / 0,8 por cento Zr / 0,02 por cento C
Material:	Liga TZM
Pureza:	{{0}},4-0,54 por cento Ti, 0,06-0,12 por cento Zr, 0,01-0,04 por cento C, saldo Mo
Tamanho:	Por Desenhos

Descrição dos componentes de implantação de íon de liga TZM

A implantação de íons é um processo importante que é amplamente utilizado na fabricação de dispositivos semicondutores, acabamento de metais e pesquisa em ciência de materiais. A parte mais importante de um sistema implantador é o caminho do feixe no qual os componentes são acoplados. Aqui, os íons são gerados, concentrados, acelerados e direcionados para o wafer. Os componentes de implantação iônica são muitas vezes feitos de liga TZM, molibdênio, tungstênio, porque este material tem uma combinação de resistência à corrosão, força e alta condutividade térmica e pode funcionar bem em ambientes hostis.

Propriedades dos componentes de implantação de íon de liga TZM

● Alto ponto de fusão

● Excelente resistência à fluência

● Excelente resistência à corrosão

● Boa condutividade elétrica e térmica

● Pureza excepcional

Aplicações de componentes de implantação de liga de íon TZM e indústrias relacionadas

● Usado para fabricar semicondutores.

● Usado em acabamento de metal para têmpera de aço ferramenta e acabamento de superfície.

● Usado na mistura de feixes de íons para obter uma interface graduada e fortalecer a adesão entre materiais imiscíveis.

● Câmaras (tungstênio, molibdênio e ligas)

● Filamentos (tungstênio e ligas de tungstênio)