Fosfeto de Índio

Descrição fosfeto do índio

Fosfato de índio (InP) é um semicondutor binário composto de índio e fósforo. Possui uma estrutura cúbica centrada no rosto ("zincblende"), idêntica à dos GaAs e a maioria dos semicondutores III-V.

O InP pode ser preparado a partir da reação de fósforo branco e iodeto de índio a 400°C, também por combinação direta dos elementos purificados em alta temperatura e pressão, ou pela decomposição térmica de uma mistura de um composto de índio trialkyl e fosfina.

InP é usado em eletrônica de alta potência e alta frequência devido à sua velocidade eletrônica superior em relação aos semicondutores mais comuns de silício e arsênio de gálio. Ele tem uma bandgap direta, tornando-o útil para dispositivos optoeletrônicos como diodos laser. InP também é usado como substrato para dispositivos optoeletrônicos baseados em arsênio de gálio de índio epitaxial.

Aplicações de Fosfato de Índio e Indústrias Relacionadas

● Componentes optoeletrônicos

● Eletrônica de alta velocidade

● Fotovoltaica

● Cerâmica

● Energia Solar

● Pesquisa & Laboratório

Identificadores químicos

Propriedades fosfetos de índio (teórico)

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